[发明专利]偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器在审
| 申请号： | 201710106781.6 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN106887670A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈霏;李子蒙 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/38;H01L27/04 |
| 代理公司： | 天津才智专利商标代理有限公司12108 | 代理人： | 王顕 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偶极子 天线 nmos 温度传感器 一体化 赫兹 探测器 | ||
1.一种偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器，其特征在于：包括硅衬底(1)和设置在所述硅衬底(1)上的第一NMOS管(2)和第二NMOS管(3)；所述第一NMOS管(2)的栅极(201)与其漏极(202)连接；所述第二NMOS管(3)的栅极(301)与其漏极(302)连接；所述第一NMOS管(2)漏极(202)连接电源(204)；所述第一NMOS管(2)的源极(203)连接第二NMOS管(3)的漏极，所述第二NMOS管(3)的源极(303)接地；所述第一NMOS管(2)和第二NMOS管(3)相同，其栅极作为偶极子天线使用，所述第一、第二NMOS管的栅极(201，301)长度为1.28～128.25μm。
2.如权利要求1所述偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器，其特征在于：所述硅衬底由多晶硅电阻利用CMOS标准工艺制成。
3.如权利要求1所述偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器，其特征在于：所述第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极之间的距离为0.24～5μm。
4.如权利要求1所述偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器，其特征在于：所述第一、第二NMOS管的栅极(201，301)宽为0.24～10μm。
5.如权利要求1所述偶极子天线与NMOS温度传感器一体化的太赫兹探测器，其特征在于：所述第二NMOS管(3)为第一NMOS管(2)旋转180°后，在硅衬底(1)上设置于第一NMOS管(2)的下侧。
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