[发明专利]MOS管电流采样电路和推挽电路有效
| 申请号： | 201710102315.0 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN106950414B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 吴文江;徐鹏华 | 申请（专利权）人： | 深圳陆巡科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 何星民 |
| 地址： | 518101 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及MOSFET技术领域，具体而言，涉及一种MOS管电流采样电路和推挽电路。该MOS管电流采样电路包括二极管D1、二极管D2、电阻R1和电压采集端；二极管D1的阴极通过电阻R1与二极管D2的阳极连接，二极管D2的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q1的漏极连接，MOS管Q1的源极接电源地；电阻R1的阻值远大于MOS管Q1的导通电阻；二极管D1的阳极与MOS管Q1的栅极驱动电压端连接；电压采集端与二极管D2的阳极连接。推挽电路，包括上述MOS管电流采样电路、MOS管Q1和MOS管Q2。本发明提供的MOS管电流采样电路和推挽电路不需要串联到MOS管网络内即可监测MOS管的电流，降低了功率损耗、提高了效率，同时，可进一步缩小器件体积，降低器件成本。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电流 采样 电路 | ||
【主权项】：
一种MOS管电流采样电路，其特征在于，包括二极管D1、二极管D2、电阻R1和电压采集端；所述二极管D1的阴极通过所述电阻R1与所述二极管D2的阳极连接，所述二极管D2的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q1的漏极连接，所述MOS管Q1的源极接电源地；所述电阻R1的阻值远大于所述MOS管Q1的导通电阻；所述二极管D1的阳极与所述MOS管Q1的栅极驱动电压端连接；所述电压采集端与所述二极管D2的阳极连接。
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