[发明专利]MOS管电流采样电路和推挽电路

说明书

本发明涉及MOSFET技术领域，具体而言，涉及一种MOS管电流采样电路和推挽电路。该MOS管电流采样电路包括二极管D1、二极管D2、电阻R1和电压采集端；二极管D1的阴极通过电阻R1与二极管D2的阳极连接，二极管D2的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q1的漏极连接，MOS管Q1的源极接电源地；电阻R1的阻值远大于MOS管Q1的导通电阻；二极管D1的阳极与MOS管Q1的栅极驱动电压端连接；电压采集端与二极管D2的阳极连接。推挽电路，包括上述MOS管电流采样电路、MOS管Q1和MOS管Q2。本发明提供的MOS管电流采样电路和推挽电路不需要串联到MOS管网络内即可监测MOS管的电流，降低了功率损耗、提高了效率，同时，可进一步缩小器件体积，降低器件成本。

技术领域

本发明涉及MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)技术领域，具体而言，涉及一种MOS管电流采样电路和推挽电路。

背景技术

MOSFET是电源产品中常用的开关器件，对于MOSFET中流经电流的采样是完成对电源产品的闭环控制和可靠性设计的前提条件。传统的MOSFET电流采样一般是在MOSFET网络内串联电流检测器件。例如，在图1所示电路中，在MOS管Q1、Q2的网络内串联采样电阻Rs，通过检测电阻Rs上的电压来获取Q1、Q2的电流信息。这种通过在MOSFET网络内串联电流检测器件来对MOSFET进行电流采样的方式有如下缺点：

1、需要串联电流采样器件到MOSFET网络内，由于MOSFET网络流经大电流，会造成较大功率损耗，降低效率。

2、由于串联的电流采样器件功耗大，因而器件体积大、成本高。

发明内容

鉴于现有技术中存在的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是，提供一种MOS管电流采样电路和推挽电路，以解决现有的MOSFET电流采样方式功率损耗大、效率低的问题。

本发明是这样实现的：

一种MOS管电流采样电路，包括二极管D1、二极管D2、电阻R1和电压采集端；

所述二极管D1的阴极通过所述电阻R1与所述二极管D2的阳极连接，所述二极管D2的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q1的漏极连接，所述MOS管Q1的源极接电源地；所述电阻R1的阻值远大于所述MOS管Q1的导通电阻；

所述二极管D1的阳极与所述MOS管Q1的栅极驱动电压端连接；

所述电压采集端与所述二极管D2的阳极连接。

进一步地，所述MOS管电流采样电路还包括二极管D3和二极管D4；

所述二极管D3的阴极通过所述电阻R1与所述二极管D4的阳极连接，所述二极管D4的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q2的漏极连接，所述MOS管Q2的源极接所述电源地；所述电阻R1的阻值远大于所述MOS管Q2的导通电阻；

所述二极管D3的阳极与所述MOS管Q2的栅极驱动电压端连接。

进一步地，所述MOS管电流采样电路还包括数字信号处理芯片，所述数字信号处理芯片与所述电压采集端连接，通过所述电压采集端接收并处理压降信号。

一种推挽电路，包括如上所述的MOS管电流采样电路，还包括如上所述的MOS管Q1和MOS管Q2。

进一步地，所述MOS管Q1的栅极串联有电阻R2，MOS管Q1的栅极通过电阻R2与MOS管Q1的栅极驱动电压端连接；所述MOS管Q2的栅极串联有电阻R3，MOS管Q2的栅极通过电阻R3与MOS管Q2的栅极驱动电压端连接。

与现有技术相比，本发明提供的MOS管电流采样电路不需要串联到MOS管网络内即可监测MOS管的电流，降低了功率损耗、提高了效率，同时，可进一步缩小器件体积，降低器件成本。

附图说明