[发明专利]MOS管电流采样电路和推挽电路

权利要求书

1.一种推挽电路，其特征在于，包括:MOS管电流采样电路与数字信号处理芯片，所述MOS管电流采样电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R1、MOS管Q1、MOS管Q2以及电压采集端(3)；

所述二极管D1的阴极通过所述电阻R1与所述二极管D2的阳极连接，所述二极管D1的阳极与所述MOS管Q1的栅极驱动电压端(1)连接；所述二极管D2的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q1的漏极连接；

所述二极管D3的阴极通过所述电阻R1与所述二极管D4的阳极连接，所述二极管D3的阳极与所述MOS管Q2的栅极驱动电压端(2)连接；所述二极管D4的阴极与需要进行电流采样的MOS管Q2的漏极连接；

所述二极管D2的阳极与所述二极管D4的阳极还均与所述电压采集端(3)连接；

所述数字信号处理芯片与所述电压采集端(3)连接，通过所述电压采集端(3)接收并处理压降信号；

所述二极管D2的阴极与所述MOS管Q1的漏极之间用于接入变压器T1二次侧的一端，所述二极管D4的阴极与所述MOS管Q2的漏极之间用于接入所述变压器T1二次侧的另一端；

其中所述MOS管Q1的源极与所述MOS管Q2的源极共接同一电源地(GND)；所述电阻R1的阻值大于所述MOS管Q1的导通电阻与所述MOS管Q2的导通电阻的任一者皆10倍以上；

所述MOS管Q1的栅极串联有电阻R2，所述MOS管Q1的栅极通过所述电阻R2与所述MOS管Q1的栅极驱动电压端(1)连接；所述MOS管Q2的栅极串联有电阻R3，所述MOS管Q2的栅极通过所述电阻R3与所述MOS管Q2的栅极驱动电压端(2)连接；所述MOS管电流采样电路的电特性符合以下公式:

VDS＝Idz*Rdson+VD，

其中，VDS为所述电压采集端(3)采集到的电压信号，Idz为主功率电流，Rdson为所述MOS管Q1或所述MOS管Q2的导通电阻，VD为所述二极管D2或所述二极管D4的正向导通压降；

所述MOS管Q1和所述MOS管Q2交替导通、对称工作，流经所述MOS管Q1和所述MOS管Q2的电流具有对称性。

2.如权利要求1所述的推挽电路，其特征在于，对流经所述MOS管Q1电流采样的第一MOS管电流采样电路是由所述二极管D1、所述电阻R1、所述二极管D2和所述电压采集端(3)构成，对流经所述MOS管Q2电流采样的第二MOS管电流采样电路是由所述二极管D3、所述电阻R1、所述二极管D4和所述电压采集端(3)构成，其中所述电阻R1和所述电压采集端(3)为第一MOS管电流采样电路与第二MOS管电流采样电路所共用。