[发明专利]非易失性存储设备有效
| 申请号： | 201710099063.0 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107102817B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郑凤吉;金炯坤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储设备，包括非易失性存储单元阵列、页缓冲器电路、数据输入/输出电路和控制逻辑，其中N位存储在单个存储单元中(N是大于或等于2的整数)，页缓冲器电路电连接至非易失性存储单元阵列。页缓冲器电路包括被配置为临时存储数据的至少N个锁存器。连接至页缓冲器电路的数据输入/输出电路接收编程的输入数据，并将该输入数据提供至页缓冲器电路。控制逻辑控制页缓冲器电路并在从数据输入/输出电路接收编程单元的所有输入数据之前初始化目标锁存器的值。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 设备 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储设备，包括：非易失性存储单元阵列，包括存储单元，每个存储单元存储N位，N是大于或等于2的整数；页缓冲器电路，电连接至所述非易失性存储单元阵列，所述页缓冲器电路包括被配置为临时存储数据的至少N个锁存器；数据输入/输出电路，连接至所述页缓冲器电路，并被配置为接收要编程的编程输入数据，并将所述输入数据提供至所述页缓冲器电路；以及控制逻辑，被配置为控制所述页缓冲器电路并在从所述数据输入/输出电路接收编程单元的所有输入数据之前初始化目标锁存器的值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710099063.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
