[发明专利]直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201710094187.X | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN106676621B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王思锋;潘永娥;潘得俊 | 申请（专利权）人： | 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 755099 宁*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直拉硅单晶的收尾方法，其包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min后，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长，直至晶体收尖脱离液面。上述直拉硅单晶的收尾方法，减小晶体收尾长度，增大等径部分长度，成品率高，材料浪费少。另其收尾时间短，节约成本。本发明还公开了一种直拉硅单晶的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉硅单晶 收尾 方法 制备 | ||
【主权项】：
1.一种直拉硅单晶的收尾方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长，直至晶体收尖脱离液面。
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