[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710085743.7 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107093612B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 寺井真之;姜大焕;高宽协 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H01L21/82;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了可变电阻存储器件及其制造方法。该可变电阻存储器件包括：在基板上沿第一方向设置的第一导电线，每条第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且第一方向和第二方向平行于基板的顶表面；在第一导电线上方沿第二方向设置的第二导电线，每条第二导电线在第一方向上延伸；在第一导电线和第二导电线之间的存储单元，所述存储单元处于在基本上垂直于基板的顶表面的第三方向上交叠第一和第二导电线的每个区域中，并且所述存储单元包括可变电阻图案；以及在第一导电线和第二导电线之间的绝缘层结构，所述绝缘层结构覆盖存储单元并包括在第三方向上既不交叠第一导电线也不交叠第二导电线的区域的至少一部分中的空气间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种可变电阻存储器件，包括：在基板上沿第一方向设置的第一导电线，每条所述第一导电线在交叉所述第一方向的第二方向上延伸，并且所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板的顶表面；在所述第一导电线上方沿所述第二方向设置的第二导电线，每条所述第二导电线在所述第一方向上延伸；在所述第一导电线和所述第二导电线之间的存储单元，所述存储单元处于在基本上垂直于所述基板的所述顶表面的第三方向上交叠所述第一导电线和所述第二导电线的每个区域中，并且所述存储单元包括可变电阻图案；和在所述第一导电线和所述第二导电线之间的绝缘层结构，所述绝缘层结构覆盖所述存储单元并包括在所述第三方向上既不交叠所述第一导电线也不交叠所述第二导电线的区域的至少一部分中的空气间隙。
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