[发明专利]用于无布局套刻控制的方法及系统有效
申请号: | 201710084211.1 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN107092167B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 李永尧;谢逸平 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明的实施例提供了一种用于无布局套刻控制的方法。在一些实施例中,使用掩模来图案化覆盖工件的目标层。图案化形成了根据第一曝光场布局布置的多个曝光场。测量曝光场相对于工件的对准以产生位移矢量。使用位移矢量和参考场布局来训练场间模型和场内模型。转变该场内模型以用于第二曝光场布局,其中,第二曝光场布局不同于第一曝光场布局。基于训练的场间模型和转变的场内模型产生套刻校正。本发明的实施例还提供了一种用于套刻控制的系统。 | ||
搜索关键词: | 用于 布局 控制 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于套刻控制的方法,所述方法包括:使用掩模对覆盖工件的目标层进行图案化,其中,所述图案化形成根据第一曝光场布局而布置的多个曝光场;测量所述曝光场相对于所述工件的对准,以产生位移矢量;使用所述位移矢量和参考场布局来训练无布局的场间模型和无布局的场内模型;转变所述无布局的场内模型以用于第二曝光场布局,其中,所述第二曝光场布局不同于所述第一曝光场布局;以及基于训练的所述无布局的场间模型和转变的所述无布局的场内模型生成套刻校正,其中,所述无布局的场间模型定义了场间套刻误差与场间套刻因子之间的关系,所述无布局的场内模型定义了场内套刻误差与场内套刻因子之间的关系,并且所述训练生成所述场间套刻因子的值和所述场内套刻因子的值,其中,所述转变包括基于所述第二曝光场布局的场内模型与所述参考场布局的所述无布局的场内模型的预定关系而转变用于所述第二曝光场布局的所述场内套刻因子的值。
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