[发明专利]用于无布局套刻控制的方法及系统

权利要求书

1.一种用于套刻控制的方法，所述方法包括：

使用掩模对覆盖工件的目标层进行图案化，其中，所述图案化形成根据第一曝光场布局而布置的多个曝光场；

测量所述曝光场相对于所述工件的对准，以产生位移矢量；

使用所述位移矢量和参考场布局来训练无布局的场间模型和无布局的场内模型；

转变所述无布局的场内模型以用于第二曝光场布局，其中，所述第二曝光场布局不同于所述第一曝光场布局；以及

基于训练的所述无布局的场间模型和转变的所述无布局的场内模型生成套刻校正，

其中，所述无布局的场间模型定义了场间套刻误差与场间套刻因子之间的关系，所述无布局的场内模型定义了场内套刻误差与场内套刻因子之间的关系，并且所述训练生成所述场间套刻因子的值和所述场内套刻因子的值，

其中，所述转变包括基于所述第二曝光场布局的场内模型与所述参考场布局的所述无布局的场内模型的预定关系而转变用于所述第二曝光场布局的所述场内套刻因子的值。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使用另一掩模来图案化覆盖另一个工件的另一个目标层，使得形成附加曝光场，其中，所述附加曝光场形成为利用所述套刻校正与所述另一个工件对准并且形成为根据所述第二曝光场布局来布置。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工件包括第一对准结构，并且所述图案化包括：

在所述目标层中形成对应于所述第一对准结构的第二对准结构，其中，所述测量包括测量所述第二对准结构相对于所述第一对准结构的未对准。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二对准结构遍布在所述曝光场上，并且所述曝光场中的每个曝光场均具有相同数量和布局的对准结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化包括：

当所述工件根据所述第一曝光场布局步进时，重复地将所述工件暴露于所述掩模的图案。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用以所述参考场布局的参考场的中心为中心的坐标系来训练所述场内模型。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述场间套刻因子包括工件平移、工件旋转、工件非正交性和工件放大。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述场内套刻因子包括掩模平移、对称掩模旋转、非对称掩模旋转、对称掩模放大和非对称掩模旋转。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述图案化之前形成覆盖所述工件的所述目标层，其中，所述目标层形成为光致抗蚀剂。

10.一种用于套刻控制的系统，所述系统包括：

曝光工具，包括设备参数，其中，所述曝光工具被配置为将覆盖工件的感光层暴露于掩模的图案，使得根据所述掩模的曝光场布局在所述感光层中限定曝光场，并且所述曝光工具还被配置为基于套刻校正来更新所述设备参数；

套刻工具，被配置为测量所述曝光场布局与所述工件之间的套刻误差，以在遍及所述工件的多个采样位置处生成套刻误差测量；以及

套刻控制工具，被配置为使用所述套刻误差测量结果和参考场布局来训练无布局的场内模型和无布局的场间模型，以将训练的所述无布局的场内模型转变为用于将被所述曝光工艺使用的下一曝光场布局，并且根据训练的所述无布局的场间模型和转变的所述无布局的场内模型来更新所述套刻校正，其中，所述下一曝光场布局不同于所述曝光场布局，

其中，所述无布局的场间模型定义了场间套刻误差与场间套刻因子之间的关系，所述无布局的场内模型定义了场内套刻误差与场内套刻因子之间的关系，并且所述套刻控制工具被配置为训练所述无布局的场间模型和所述无布局的场内模型以生成所述场间套刻因子的值和所述场内套刻因子的值，

其中，所述转变包括基于所述下一曝光场布局的场内模型与所述参考场布局的训练的所述无布局的场内模型的预定关系而转变用于所述下一曝光场布局的所述场内套刻因子的值。