[发明专利]一种NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法在审
| 申请号： | 201710080630.8 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN106874220A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 赵鑫鑫;姜凯;李朋;尹超 | 申请（专利权）人： | 济南浪潮高新科技投资发展有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/1009 | 分类号： | G06F12/1009;G06F12/0882 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司37100 | 代理人： | 姜明 |
| 地址： | 250100 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明特别涉及一种NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法。该NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，根据NAND FLASH阵列规格确定二级地址映射，确定block地址映射表规格和page地址映射表规格；NAND FLASH阵列控制器接收上级命令并解析，执行解析出的命令并根据上级发送来的block地址和操作命令和数据，查询该block对应的page地址映射表，执行操作；循环执行上述流程，直到完成整个文件读取、擦除或写入操作。该NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，地址映射分为两层，不同文件不混用block，且支持block地址的动态排队，在NAND FLASH控制器不设计磨损均衡和垃圾回收的情况下，支持随机删除功能，不仅地址管理简单，而且兼容性强，执行效率高，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash 阵列 二级 地址 映射 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，其特征在于包括以下步骤：（1）根据NAND FLASH阵列规格确定二级地址映射，确定block地址映射表规格和page地址映射表规格；（2）NAND FLASH阵列控制器接收上级命令并解析；（3）根据解析出的命令，执行解析出的读命令、擦除命令或者写命令；若为读命令或擦除命令，则查询block地址映射表，找出文件对应的blcok地址，从低block地址向高block地址循环，向存储芯片阵列发送读或擦除命令；若为写入命令，则判断当前文件是否为新文件，查询当前block地址是否为可写入，根据多种条件，向存储芯片阵列发送不同block地址写入数据命令；（4）根据上级发送来的block地址和操作命令和数据，查询该block对应的page地址映射表，执行操作；（5）循环执行上述流程，直到完成整个文件读取、擦除或写入操作。
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