[发明专利]一种NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法

权利要求书

1.一种NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）根据NAND FLASH阵列规格确定二级地址映射，确定block地址映射表规格和page地址映射表规格；

（2）NAND FLASH阵列控制器接收上级命令并解析；

（3）根据解析出的命令，执行解析出的读命令、擦除命令或者写命令；

若为读命令或擦除命令，则查询block地址映射表，找出文件对应的blcok地址，从低block地址向高block地址循环，向存储芯片阵列发送读或擦除命令；

若为写入命令，则判断当前文件是否为新文件，查询当前block地址是否为可写入，根据多种条件，向存储芯片阵列发送不同block地址写入数据命令；

（4）根据上级发送来的block地址和操作命令和数据，查询该block对应的page地址映射表，执行操作；

（5）循环执行上述流程，直到完成整个文件读取、擦除或写入操作。

2.根据权利要求1所述的NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，其特征在于：所述步骤（1）中，NAND FLASH阵列规格为16x4时，为16片NAND FLASH芯片并行，4级流水的存储阵列，每片NAND FLASH芯片有32000个block，每个block有256个page；

一级block地址映射表规格为32000个地址条目和一个当前操作block地址指针条目，每个地址条目内有两部分，文件名和block地址映射及当前block是否可写入标志位，当前操作block地址指针条目存储当前正在操作的block地址；

二级page地址映射表有32000x64个部分，即每个芯片的每个block一个page地址映射表，每个page地址映射表单元有256个地址条目和一个当前操作page地址指针条目，每个地址条目包含页地址和物理地址映射信息，当地址指针指向最后一个page时，向上级block地址映射表发送信息，将当前block标记为不可写入。

3.根据权利要求1任意一项所述的NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，其特征在于：所述步骤（3）中，若为写入命令，判断当前文件是否为新文件，查询当前block地址是否为可写入，若为新文件或当前block为不可写入，向下一个block写入，若为旧文件且当前block为可写入，向个芯片当前block地址发送写入命令。