[发明专利]一种NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法

说明书

技术领域

本发明涉及NAND FLASH控制器和IC设计技术领域，特别涉及一种NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法。

背景技术

NAND-FLASH内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND-FLASH存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

当前NAND FLASH阵列控制大多使用一级page地址映射，每个芯片的每个page都需要顶层模块分别进行控制，顶层模块地址管理复杂且效率低。由于地址映射没有层次，为支持文件随机删除，需要NAND FLASH控制器设计磨损均衡和垃圾回收模块，设计难度大。

针对存储芯片阵列的一级page地址映射，本发明提出了一种NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法。

发明内容

本发明为了弥补现有技术的缺陷，提供了一种简单高效的NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法。

本发明是通过如下技术方案实现的：

一种NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）根据NAND FLASH阵列规格确定二级地址映射，确定block地址映射表规格和page地址映射表规格；

（2）NAND FLASH阵列控制器接收上级命令并解析；

（3）根据解析出的命令，执行解析出的读命令、擦除命令或者写命令；

若为读命令或擦除命令，则查询block地址映射表，找出文件对应的blcok地址，从低block地址向高block地址循环，向存储芯片阵列发送读或擦除命令；

若为写入命令，则判断当前文件是否为新文件，查询当前block地址是否为可写入，根据多种条件，向存储芯片阵列发送不同block地址写入数据命令；

（4）根据上级发送来的block地址和操作命令和数据，查询该block对应的page地址映射表，执行操作；

（5）循环执行上述流程，直到完成整个文件读取、擦除或写入操作。

所述步骤（1）中，NAND FLASH阵列规格为16x4时，为16片NAND FLASH芯片并行，4级流水的存储阵列，每片NAND FLASH芯片有32000个block，每个block有256个page；

一级block地址映射表规格为32000个地址条目和一个当前操作block地址指针条目，每个地址条目内有两部分，文件名和block地址映射及当前block是否可写入标志位，当前操作block地址指针条目存储当前正在操作的block地址；

二级page地址映射表有32000x64个部分，即每个芯片的每个block一个page地址映射表，每个page地址映射表单元有256个地址条目和一个当前操作page地址指针条目，每个地址条目包含页地址和物理地址映射信息，当地址指针指向最后一个page时，向上级block地址映射表发送信息，将当前block标记为不可写入。

所述步骤（3）中，若为写入命令，判断当前文件是否为新文件，查询当前block地址是否为可写入，若为新文件或当前block为不可写入，向下一个block写入，若为旧文件且当前block为可写入，向个芯片当前block地址发送写入命令。

本发明的有益效果是：该NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，地址映射分为两层，不同文件不混用block，且支持block地址的动态排队，在NAND FLASH控制器不设计磨损均衡和垃圾回收的情况下，支持随机删除功能，不仅地址管理简单，而且兼容性强，执行效率高，具有广阔的应用前景。

附图说明

附图1为本发明NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法示意图。

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图和实施例，对本发明进行详细的说明。应当说明的是，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

该NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，包括以下步骤：

（1）根据NAND FLASH阵列规格确定二级地址映射，确定block地址映射表规格和page地址映射表规格；