[发明专利]超结器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种超结器件的制造方法，包括步骤：进行光刻刻蚀形成多个沟槽；进行沟槽形成P型柱；进行光刻加注入形成P型阱；进行第一氧化膜生长并光刻刻蚀形成保护环氧化膜；进行栅氧化膜和N型重掺杂的第一层多晶硅生长并进行光刻刻蚀形成多晶硅栅；以多晶硅栅为自对准条件进行全面的N型离子注入形成源区；淀积层间膜，进行光刻刻蚀形成接触孔的开口并在接触孔的开口中填充金属；进行正面金属淀积形成正面金属层，进行光刻刻蚀形成由正面金属层组成的栅极和源极。本发明能减少光刻工艺次数，能使器件的性能和可靠性得到保持，能降低制作成本，缩短生产周期。

主权项

1.一种超结器件的制造方法，超结器件的中间区域为电荷流动区，终端区环绕于所述电荷流动区的外周，过渡区位于所述电荷流动区和所述终端区之间；其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供N型外延层，进行第一次光刻工艺定义出沟槽的形成区域，之后对所述N型外延层进行干法刻蚀形成多个沟槽；在所述沟槽中填充P型外延层形成P型柱，由各所述P型柱之间的所述N型外延层组成N型柱，由多个交替排列的所述N型柱和所述P型柱组成的超结结构；步骤二、进行第二次光刻工艺在所述电荷流动区和所述过渡区中定义出P型阱的形成区域，之后进行P型离子注入形成所述P型阱；所述电荷流动区中各所述P型柱的顶部都形成有一个所述P型阱且各所述P型阱延伸到对应的所述P型柱两侧的所述N型柱的表面；步骤三、在形成有所述P型阱的所述N型外延层表面进行第一氧化膜生长，进行第三次光刻工艺定义出所述第一氧化膜的刻蚀区域，之后对所述第一氧化膜进行刻蚀形成保护环氧化膜，所述保护环氧化膜将所述电荷流动区露出以及将所述过渡区全部覆盖，所述保护环氧化膜还延伸到所述终端区表面并将所述终端区全部或仅将所述终端区的最外周部分露出，所述保护环氧化膜环绕在所述电荷流动区的周侧；步骤四、依次形成栅氧化膜和N型重掺杂的第一层多晶硅，进行第四次光刻工艺定义出多晶硅栅的形成区域，之后对所述第一层多晶硅进行刻蚀形成多晶硅栅，各所述多晶硅栅为平面栅结构，各所述多晶硅栅覆盖对应的所述P型阱且被所述多晶硅栅覆盖的所述P型阱的表面用于形成沟道；以所述多晶硅栅和所述保护环氧化膜为自对准条件进行全面的第一次N型离子注入在所述电荷流动区中的所述多晶硅栅两侧分别形成源区，同时在所述保护环氧化膜覆盖区域之外的所述终端区中或外侧形成终端第一N型注入区；步骤五、淀积层间膜，进行第五次光刻工艺定义出接触孔的形成区域，之后对所述层间膜进行刻蚀形成所述接触孔的开口；在所述接触孔的开口中填充金属形成所述接触孔；步骤六、进行正面金属淀积形成正面金属层，进行第六次光刻工艺定义出栅极和源极的形成区域，之后对所述正面金属层进行刻蚀形成所述栅极和所述源极，所述电荷流动区中的各所述源区和对应的所述P型阱通过顶部相同的接触孔连接到所述源极，所述过渡区中的所述P型阱也通过顶部的接触孔连接到所述源极，所述多晶硅栅通过顶部的接触孔连接到栅极。