[发明专利]一种利用单运放实现双向高端电流检测电路

摘要

本发明公开了一种利用单运放实现双向高端电流检测电路，包括：电流检测电路，连接于储能装置与负载之间，以完成双向电流的采样，并将充/放电电流转换为电压差；控制电路，用于将来自微处理器的控制信号mcu转换为开关阵列控制信号；开关阵列，用于在该开关阵列控制信号的控制下将该电流检测电路输出的电压差传递至放大电路的输入端；放大电路，用于将该电流检测电路输出的经该开关阵列传递的电压差进行放大和滤波以进行后续处理,本发明通过利用一个运算放大器以及一个电流检测电路可以完成两个不同方向的高端电流测量，保证了两个方向的测量精度完全一致，不存在误差和精度不对称性问题。

主权项

1.一种利用单运放实现双向高端电流检测的电路，包括：电流检测电路，连接于储能装置与负载之间，以完成双向电流的采样，并将充/放电电流转换为电压差；控制电路，用于将来自微处理器的控制信号mcu转换为开关阵列控制信号；开关阵列，用于在该开关阵列控制信号的控制下将该电流检测电路输出的电压差传递至放大电路的输入端；放大电路，用于将该电流检测电路输出的经该开关阵列传递的电压差进行放大和滤波以进行后续处理；其中，该控制电路包括第一三极管、第二三极管以及第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻，该控制信号mcu经该第一电阻连接至该第一三极管的基极，该第一三极管的发射极经第三电阻接地，该第一三极管的集电极与该第二三极管的基极相连并经该第二电阻连接至电源，该第二三极管的发射极接电源，该第二三极管的集电极连接该开关阵列并经该第四电阻接地；该开关阵列包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管及第六MOS管，该第三MOS管的漏极、第六MOS管的源极和衬底连接至储能装置的正端，该第四MOS管的漏极、第五MOS管的源极和衬底连接至负载的正端，该第三MOS管的源极和衬底、第五MOS管的漏极连接至该放大电路，该第四MOS管的源极和衬底、该第六MOS管的漏极连接至该放大电路，该第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管及第六MOS管的栅极连接至该第二三极管的集电极；该放大电路包括运算放大器、第七PMOS管以及滤波电路，该运算放大器的两输入端连接该开关阵列，该运算放大器的输出端连接至该第七PMOS管的栅极，该第七PMOS管的源极和衬底连接至该运算放大器的反相输入端，该第七PMOS管的漏极连接该滤波电路，该运算放大器的负电源端接地。