[发明专利]带保护二极管的场效应晶体管

摘要

本发明涉及在微米波频带、毫米波频带使用的场效应晶体管(FET)的静电放电耐性的改善。本发明所涉及的带静电保护二极管的场效应晶体管具有：第1 FET；以及2端子静电保护电路，其连接于第1 FET的第1栅极和第1源极之间，2端子静电保护电路包含：第1二极管，其位于在对第1栅极施加了比第1源极的电位低的电压时被反向偏置侧，具有比第1 FET的第1栅极和第1源极间的反向耐压低的反向耐压；第2二极管，其位于在对第1栅极施加了比前述第1源极的电位低的电压时被正向偏置侧，与第1二极管反向串联连接；以及电阻，其与由第1二极管和第2二极管构成的二极管对串联连接，是使用与第1 FET相同的沟道层而形成的。

主权项

一种带保护二极管的场效应晶体管，其特征在于，具有：场效应晶体管；以及2端子静电保护电路，其连接于所述场效应晶体管的栅极和源极之间，所述2端子静电保护电路包含：第1二极管，其位于在对所述栅极施加了比所述源极的电位低的电压时被反向偏置侧，且具有比所述场效应晶体管的所述栅极和所述源极之间的反向耐压低的反向耐压；第2二极管，其位于在对所述栅极施加了比所述源极的电位低的电压时被正向偏置侧，且与所述第1二极管反向串联连接；以及电阻，其与由所述第1二极管和所述第2二极管构成的二极管对串联连接，且是使用与所述场效应晶体管相同的沟道层而形成的。