[发明专利]摄像装置有效
申请号: | 201710067519.5 | 申请日: | 2017-02-07 |
公开(公告)号: | CN107204348B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 宍戸三四郎;村上雅史 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/70 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实现更高的时间分辨率。本发明的摄像装置具备第1及第2像素单元;第1像素单元包括:第1光电变换部,产生电荷;第1电荷传送路径,在从与第1光电变换部电连接的第1端朝向第2端的第1方向上传送电荷;第2电荷传送路径,从第1电荷传送路径的第1位置分支;第1电荷蓄积部,蓄积经由第2电荷传送路径传送来的电荷;第2像素单元包括:第2光电变换部,产生电荷;第3电荷传送路径,在从与第2光电变换部电连接的第3端朝向第4端的第2方向上传送电荷;第4电荷传送路径,从第3电荷传送路径的第2位置分支;第2电荷蓄积部,蓄积经由第4电荷传送路径传送来的电荷;沿着第1方向的从第1端到第1位置的距离与沿着第2方向的从第3端到第2位置的距离不同。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种摄像装置,其特征在于,具备第1像素单元及第2像素单元;上述第1像素单元包括:第1光电变换部,产生第1电荷;第1电荷传送路径,具有电连接于上述第1光电变换部的第1端、和第2端,在从上述第1端朝向上述第2端的第1方向上传送上述第1电荷;第2电荷传送路径,从上述第1电荷传送路径的第1位置分支,传送上述第1电荷中的至少一部分;以及第1电荷蓄积部,蓄积经由上述第2电荷传送路径传送来的电荷;上述第2像素单元包括:第2光电变换部,产生第2电荷;第3电荷传送路径,具有电连接于上述第2光电变换部的第3端、和第4端,在从上述第3端朝向上述第4端的第2方向上传送上述第2电荷;第4电荷传送路径,从上述第3电荷传送路径的第2位置分支,传送上述第2电荷中的至少一部分;以及第2电荷蓄积部,蓄积经由上述第4电荷传送路径传送来的电荷;沿着上述第1方向的从上述第1端到上述第1位置的距离不同于沿着上述第2方向的从上述第3端到上述第2位置的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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