[发明专利]生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710066655.2 | 申请日： | 2017-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN107046088B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 李国强;余粤锋;高芳亮;徐珍珠 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取：采用Si衬底；(2)衬底清洗；(3)衬底退火处理；(4)高温生长GaN纳米柱：在900‑1100℃的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为0.5‑1.5小时；(5)低温生长GaN纳米柱：在650‑800℃的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为1.5‑2.5小时。本发明还公开了上述制备方法得到的生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱及其应用。本发明既改善了高温生长纳米柱的不均匀性，又改善低温生长纳米柱的柱向杂乱情况，同时本发明具有工艺简单，生产周期短等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 si 111 衬底 gan 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取：采用Si衬底，以(111)面为外延面，晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于Si的(111)面；(2)衬底清洗；(3)衬底退火处理；(4)高温生长GaN纳米柱：在900‑1100℃，N分压为2‑8sccm，Ga束流量为2‑8×10‑8Torr，射频功率为50‑300W的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为0.5‑1.5小时，生长速率为20‑1000nm/h；(5)低温下继续生长GaN纳米柱：在650‑800℃，N分压为2‑8sccm，Ga束流量为2‑8×10‑8torr，射频功率为50‑300W的条件下生长GaN纳米柱，生长时间为1.5‑2.5小时，生长速率为20‑1000nm/h。
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