[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法

摘要

本发明提供一种能够实现均匀的衬底处理的半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法。在衬底处理装置中，具有：反应管，其在内部形成对衬底进行处理的处理室；加热装置，其设在反应管的外部，对处理室进行加热；气体供给部，其设在反应管内，供给对衬底进行处理的处理气体；和等离子体生成部，其具备电极，该电极以包围反应管的外壁整周的方式交替地设有与高频电源连接的第一电极部和接地的第二电极部，等离子体生成部至少根据高频电源的频率和对电极施加的电压来确定相邻的第一电极部与第二电极部的电极间距离。

主权项

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：反应管，在其内部形成对衬底进行处理的处理室；加热装置，其设在所述反应管的外部，对所述处理室进行加热；气体供给部，其设在所述反应管内，供给对所述衬底进行处理的处理气体；和等离子体生成部，其具备电极，所述电极以包围所述反应管的外壁整周的方式交替地设有与高频电源连接的第一电极部和接地的第二电极部，所述等离子体生成部的相邻的所述第一电极部与所述第二电极部的电极间距离D以成为由算式1确定的值的1/2倍以上、2倍以下的范围内的值的方式进行确定，基于所述电极间距离来设置所述第一电极部和所述第二电极部，【算式1】其中，V为电压，f为频率，m为质量，e/m为电子的荷质比。