[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法

说明书

本发明提供一种能够实现均匀的衬底处理的半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法。在衬底处理装置中，具有：反应管，其在内部形成对衬底进行处理的处理室；加热装置，其设在反应管的外部，对处理室进行加热；气体供给部，其设在反应管内，供给对衬底进行处理的处理气体；和等离子体生成部，其具备电极，该电极以包围反应管的外壁整周的方式交替地设有与高频电源连接的第一电极部和接地的第二电极部，等离子体生成部至少根据高频电源的频率和对电极施加的电压来确定相邻的第一电极部与第二电极部的电极间距离。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法。

背景技术

作为半导体器件(device)的制造工序的一个工序，有时进行如下衬底处理：将衬底搬入到衬底处理装置的处理室内，向处理室内供给原料气体和反应气体，来在衬底上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜，或者除去各种膜。

在形成有精细图案的量产器件中，为了抑制杂质的扩散、能够使用有机材料等耐热性低的材料而谋求低温化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-59527号公报

发明内容

为了解决这样的问题，一般使用等离子体来进行衬底处理，但是，由等离子体生成的离子和/或自由基等活性种根据种类而量和寿命存在偏差，因此难以均匀地对膜进行处理。

本发明的目的在于提供一种能够实现均匀的衬底处理的技术。

根据本发明的一个方案，提供如下技术：

衬底处理装置具有：反应管，在其内部形成对衬底进行处理的处理室；加热装置，其设在上述反应管的外部，对上述处理室进行加热；气体供给部，其设在上述反应管内，供给对上述衬底进行处理的处理气体；和等离子体生成部，其具备电极，该电极以包围上述反应管的外壁整周的方式交替地设有与高频电源连接的第一电极部和接地的第二电极部，上述等离子体生成部的相邻的上述第一电极部与上述第二电极部的电极间距离至少由上述高频电源的频率和对上述电极施加的电压确定，基于上述电极间距离来设置上述第一电极部和上述第二电极部。

发明效果

根据本发明，能够提供一种可实现均匀的衬底处理的技术。

附图说明

图1是在本发明的第1实施方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略结构图，是以纵截面表示处理炉部分的图。

图2是在本发明的实施方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的概略结构图，是示出图1中用A-A线剖切处理炉部分得到的图。

图3是用于说明图1所示的衬底处理装置中的等离子体生成部的结构的图。

图4是图1所示的衬底处理装置中的控制器的概略结构图，是表示控制器的控制系统的一例的框图。

图5是表示使用图1所示的衬底处理装置的衬底处理工艺的一例的流程图。

图6是表示本发明中的第1实施方式的变形例1的图。

图7是表示本发明中的第1实施方式的变形例2的图，(a)是表示第1变形例2的图，(b)是表示第2变形例2的图，(c)是表示第3变形例2的图，(d)是表示第4变形例2的图，(e)是表示第5变形例2的图。

附图标记说明

200…晶片，201…处理室，203…反应管，207…加热器(加热装置)，217…舟皿，232a、232b、232c、232d…气体供给管，249a、249b…喷嘴，250a、250b、250c…气体供给孔，300…电极，310…高频电源