[发明专利]一种反向PN型掺杂结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种反向PN型硅基电光调制器的掺杂结构及制备方法。该掺杂结构集成在一个硅基鱼骨形条形波导上，包括P++型掺杂区域，N++型掺杂区域，P型掺杂区域，P‑型掺杂区域，N型掺杂区域，N‑型掺杂区域，条形光波导，电极，电极通孔，利用控制离子注入深度的方式制作竖直向反向PN型掺杂结构。本发明中条形光波导内的竖直方向反向PN结的形成主要靠选择不同的离子注入深度，简化了制备工艺步骤，同时降低了离子注入工艺中对掩膜对准精度的要求。

主权项

1.一种反向PN型硅基电光调制器的掺杂结构，集成在一个硅基鱼骨形条形波导上，该硅基鱼骨形条形波导中间为条形光波导(113)，用于通光，在条形光波导两侧，对称分布P++型掺杂区域(101)和N++型掺杂区域(102)，其特征在于，P++型掺杂区域(101)，位于硅基鱼骨形条形波导一侧，包括条形部分和至少一侧壁部分；N++型掺杂区域(102)，位于硅基鱼骨形条形波导另一侧，包括条形部分和至少一侧壁部分，与P++型掺杂区域(101)平行对称；条形光波导(113)，位于硅基鱼骨形条形波导的P++型掺杂区域(101)与N++型掺杂区域(102)之间，且平行于P++型掺杂区域(101)和N++型掺杂区域(102)的条形部分；其中，该条形光波导(113)自下而上依次包括第二N型掺杂区域(109)、耗尽层(108)和第二P型掺杂区域(107)，第二P型掺杂区域(107)与第二N型掺杂区域(109)构成PN结，该PN结其结构为竖直方向，耗尽层(108)位于该PN结的中间，第二P型掺杂区域(107)通过第一P型掺杂区域(103)与P++型掺杂区域(101)的侧壁部分相连，第二N型掺杂区域(109)通过第一N型掺杂区域(105)与N++型掺杂区域(102)的侧壁部分相连。