[发明专利]一种集成电路封装工艺有效
| 申请号： | 201710063082.8 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN107068577B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 何忠亮;郭秋卫;汪元元;朱争鸣 | 申请（专利权）人： | 深圳市环基实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11760 北京前审知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈姗姗 |
| 地址： | 518125 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种自由平面无引脚封装的集成电路封装工艺，结合了QFN和BGA封装技术的优势，可大量设计孤岛电极，显著增加集成电路封装I/O数，另外，通过黑氧化或棕氧化工艺，不仅增强了顶电极和底电极之间的铜表面与封装树脂材料的结合，还对底部镀锡层进行腐蚀多孔化，使得底基板易于剥离和回收利用，有利于节约成本和绿色生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 集成电路 封装 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路封装工艺，其特征在于：工艺过程包括：(1)在刚性基板上镀锡，所述刚性基板材质为陶瓷或刚性高分子材料；(2)在锡层上涂覆感光材料，再通过图形转移露出线路槽；(3)在图形化区锡层露出部分镀底电极；(4)在底电极上继续镀铜层；(5)在铜层上镀顶电极；(6)去除剩余感光材料；(7)在铜层侧面修饰有机金属转化膜；(8)将芯片邦定在顶电极上并灌注封装树脂材料；(9)树脂固化成型后直接剥离镀锡基板，露出底电极，完成封装，所述锡层进行了腐蚀多孔化，镀锡基板可回收利用；/n所述工艺不需要将整个基板完全腐蚀掉。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市环基实业有限公司，未经深圳市环基实业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710063082.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造柔性电子器件的方法
- 下一篇：一种基于PC控制的QFP芯片外观抽检系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
