[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710061165.3 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108346686B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 黄河;克里夫·德劳利;朱继光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，将具有离子注入层的第一半导体衬底与第二半导体衬底的键合，之后去除所述离子注入层及其远离所述第二半导体衬底一侧的一部分所述第一半导体衬底，在剩余的所述第一半导体衬底薄膜区域内暴露出的表面上形成保护层，然后通过外延与刻蚀以及沉积工艺，在第一半导体衬底上形成厚度不同的平坦化层，最后通过与第三半导体衬底的键合形成半导体器件，由于该半导体器件中绝缘体上硅的掩埋层上的硅层的厚度不同，因此能够集成不同类型的MOSFT器件在同一个绝缘体上硅上，从而提高了半导体器件的性能、缩小了器件的尺寸，并且节省了封装的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一第一半导体衬底，对所述第一半导体衬底的第一表面进行离子注入，在所述第一半导体衬底内部形成离子注入层；将所述第一半导体衬底的第一表面与一第二半导体衬底的第二表面进行第一次键合；去除所述离子注入层及其远离所述第二半导体衬底一侧的一部分所述第一半导体衬底；剩余的所述第一半导体衬底包含薄膜区域与厚膜区域；在剩余的所述第一半导体衬底薄膜区域内暴露出的表面上形成保护层；在所述第一半导体衬底及所述保护层上形成半导体层；对所述薄膜区域内的半导体层进行刻蚀，至所述保护层，在所述厚膜区域内的半导体层上形成介质层；在所述介质层以及保护层上形成平坦化层；将所述平坦化层与一第三半导体衬底的第三表面进行第二次键合，去除所述第二半导体衬底。
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