[发明专利]一种eFuse存储电路有效
| 申请号： | 201710053926.0 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108346449B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 罗睿明;陈先敏;杨家奇;吴蕾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;娄晓丹 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种eFuse存储电路，包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元；灵敏放大器，与所述存储单元阵列连接，用于对所述eFuse存储电路的状态进行检测，其中，所述存储单元阵列由其控制端阵列控制其工作状态，以使多个所述存储单元之一处于编程状态或读取状态。本发明的eFuse存储电路将熔丝的编程控制端和读取控制端集成到存储单元中，编程时直接给存储单元供电，从而提高存储单元阵列的编程电流的稳定性；并且在编程电流不是特别大或者面积要求不是非常严格时，可以实现单电源供电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 efuse 存储 电路 | ||
【主权项】：
1.一种eFuse存储电路，其特征在于，包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元；灵敏放大器，与所述存储单元阵列连接，用于对所述eFuse存储电路的状态进行检测，其中，所述存储单元阵列由其控制端阵列控制其工作状态，以使多个所述存储单元之一处于编程状态或读取状态。
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