[发明专利]一种eFuse存储电路有效
| 申请号： | 201710053926.0 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108346449B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 罗睿明;陈先敏;杨家奇;吴蕾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;娄晓丹 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 efuse 存储 电路 | ||
1.一种eFuse存储电路，其特征在于，包括：
存储单元阵列，其包括多个存储单元；所述存储单元包括编程晶体管、读取晶体管和熔丝，其中所述编程晶体管的源极用于连接电源电压，漏极连接所述熔丝的一端，所述熔丝的另一端用于连接地电压，且所述读取晶体管的源极连接所述编程晶体管的漏极与所述熔丝的连接节点，漏极连接灵敏放大器；
灵敏放大器，与所述存储单元阵列连接，用于对所述eFuse存储电路的状态进行检测，
其中，所述存储单元阵列由其控制端阵列控制其工作状态，以使多个所述存储单元之一处于编程状态或读取状态。
2.如权利要求1所述的eFuse存储电路，其特征在于，所述控制端阵列包括多对编程控制端和读取控制端，每对编程控制端和读取控制端用于控制多个所述存储单元中相应存储单元的工作状态。
3.如权利要求2所述的eFuse存储电路，其特征在于，
当所述编程控制端有效时，所述编程晶体管导通，所述存储单元处于编程状态；
当所述读取控制端有效时，所述读取晶体管导通，所述存储单元处于读取状态。
4.如权利要求3所述的eFuse存储电路，其特征在于，所述编程晶体管包括PMOS管，所述读取晶体管包括NMOS管。
5.如权利要求4所述的eFuse存储电路，其特征在于，其中，
所述PMOS管的源极用于连接电源电压，栅极连接所述编程控制端，漏极连接所述熔丝的一端，所述熔丝的另一端用于连接地电压；
所述NMOS管的栅极连接读取控制端，源极连接所述PMOS管的漏极与所述熔丝的连接节点，漏极连接所述灵敏放大器。
6.如权利要求3所述的eFuse存储电路，其特征在于，所述熔丝为多晶硅熔丝或镍硅化物熔丝。
7.如权利要求5所述的eFuse存储电路，其特征在于，所述PMOS管和所述NMOS管均为厚氧晶体管。
8.如权利要求5所述的eFuse存储电路，其特征在于，所述PMOS管和所述NMOS管均为高压晶体管。
9.如权利要求1-8之一所述的eFuse存储电路，其特征在于，所述eFuse存储电路用于冗余电路。
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