[发明专利]一种场效晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201710053174.8 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN107546128A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 林时彦;刘继文;李嗣涔;吴崇荣;陈冠超 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 于一种场效晶体管制造方法中形成一金属钼层(Mo layer)于基板上。金属钼层经硫化后转换成二硫化钼层(MoS2 layer)。二硫化钼层上形成源电极以及漏电极。二硫化钼层经过低功率的氧气等离子处理。形成一栅极介电层于二硫化钼层上。形成一栅电极于栅极介电层上，而低功率的氧气等离子处理中电功率的输入范围为15瓦至50瓦。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效晶体管的制造方法，其特征在于，包含：形成一过渡金属二硫族化物层于一基板上；以及使用一低功率氧气等离子处理该过渡金属二硫族化物层，其中该低功率氧气等离子的输入电功率范围为15瓦至50瓦。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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