[发明专利]多晶硅棒的制造方法

摘要

本申请发明涉及一种多晶硅棒的制造方法。在钟形玻璃罩(1)内配置的2对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换通过开关(S1～S3)来进行。该电路(16)中，从供给低频电流的一个低频电源(15L)、或供给具有2kHz以上的频率的高频电流的一个高频电源(15H)供给电流。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)而将2对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换至高频电源(15H)侧，则可以对被串联连结的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流来进行通电加热。

主权项

1.一种多晶硅棒的制造方法，其为在反应器中配置m根硅芯线，m为2以上的整数，向所述反应炉内供给含有硅烷化合物的原料气体，通过CVD法使多晶硅在由通电加热后的所述硅芯线上析出而制造多晶硅棒的方法，其特征在于，所述方法具备：初期加热工序，通过低频电流的通电进行所述硅芯线的加热开始，在该硅芯线的表面达到所期望的温度后开始所述多晶硅的析出；以及对所述多晶硅棒通电具有2kHz以上的频率的电流来进行加热的高频电流通电工序，所述初期加热工序中，所述硅芯线的加热开始通过将m根硅芯线彼此从第1根到第m根依次串联连接、并从低频电源向该串联连接的硅芯线供给电流来实行，所述高频电流通电工序包括如下工序：由供给单一高频电流的一个高频电源，对通过所述多晶硅的析出而直径达到80mm以上的预定值D₀的n根串联连接的多晶硅棒供给高频电流，n为2以上且m以下的整数，以流过所述串联连接的n根多晶硅棒时的趋肤深度为13.8mm以上且80.0mm以下的范围的所期望的值的方式，设定所述高频电流的频率，选择含有三氯甲硅烷的气体作为所述原料气体，将所述多晶硅棒的表面温度控制为900℃以上且1250℃以下，使多晶硅析出。