[发明专利]用于太阳能电池制造中的固相外延再生长的直流离子注入有效
| 申请号： | 201710051689.4 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107039251B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | M·春;B·阿迪博 | 申请（专利权）人： | 因特瓦克公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/324;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于太阳能电池的离子注入的装置和方法。本公开提供了提高的产量，并且修复或消除了SPER退火步骤后的缺陷。利用连续高剂量的注入，衬底被连续注入，造成有效的缺陷累积(即非晶化)，同时可抑制动态的自退火。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳能电池 制造 中的 外延 再生 直流 离子 注入 | ||
【主权项】：
一种使用离子注入来制造太阳能电池的方法，包括：将衬底引入离子注入室；产生具有足够大以覆盖所述衬底的整个表面的截面的离子种类的束；将所述离子束引向所述衬底的表面，从而引起以高于1E14离子/cm‑2/秒的剂量率对所述衬底的所述表面的连续离子轰击，由此将离子注入到所述衬底中，同时对所述衬底的层进行非晶化并且防止自退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
