[发明专利]磷化铟晶锭切割（100）晶片的方法

摘要

本发明公开了一种磷化铟晶锭切割(100)晶片的方法，该方法将磷化铟晶锭粘在切割机三维样品台上，选取参考面；后假定所得磷化铟单晶锭端面晶面指数为(311)，计算晶面(111)与(311)夹角，调整样品台角度；切取样品，用X射线定向仪测样品晶向；若是(111)晶面衍射峰，根据夹角，调整样品台得到(100)端面；若不是(111)晶面衍射峰，用腐蚀位错的方法，调整样品台角度，最终得到(100)端面。本发明将三维样品台和X射线定向仪及磷化铟晶片位错腐蚀技术结合，切割准确度高，简单易用，效率高，适用面广，可以测定并找出由垂直温度梯度凝固技术VGF法生长得到的任意晶向的磷化铟单晶的(100)晶面。

主权项

1.一种磷化铟晶锭切割(100)晶片的方法，其特征在于，包括：1)将磷化铟晶锭粘在切割机三维样品台上，所述磷化铟晶锭垂直于所述三维样品台，将晶锭的端面作为参考面，参考面上垂直于样品台向下方向作为纵向，平行于样品台向右方向作为横向，纵向、横向与参考面法向符合坐标系的右手定则；2)假定磷化铟单晶锭端面晶面指数为(311)，通过立方晶系的晶面夹角公式计算(311)晶面与(111)晶面夹角，(111)晶面与(100)晶面夹角；3)根据计算所得角度，调整三维样品台角度；4)从晶锭端面切取样品，用X射线定向仪测试样品的切割面的表面晶向；5)判断样品切割面是否出现(111)晶面衍射峰；6)若样品出现(111)晶面衍射峰，则根据(100)晶面与(111)晶面夹角再次调整三维样品台角度，切割出所需的(100)晶片；7)若未观察到(111)晶面衍射峰，采用磷化铟单晶(111)晶面位错腐蚀法，调整三维样品台角度，返回步骤4)，最终切割出(100)晶片。