[发明专利]磷化铟晶锭切割（100）晶片的方法

权利要求书

1.一种磷化铟晶锭切割(100)晶片的方法，其特征在于，包括：

1)将磷化铟晶锭粘在切割机三维样品台上，所述磷化铟晶锭垂直于所述三维样品台，将晶锭的端面作为参考面，参考面上垂直于样品台向下方向作为纵向，平行于样品台向右方向作为横向，纵向、横向与参考面法向符合坐标系的右手定则；

2)假定磷化铟单晶锭端面晶面指数为(311)，通过立方晶系的晶面夹角公式计算(311)晶面与(111)晶面夹角，(111)晶面与(100)晶面夹角；

3)根据计算所得角度，调整三维样品台角度；

4)从晶锭端面切取样品，用X射线定向仪测试样品的切割面的表面晶向；

5)判断样品切割面是否出现(111)晶面衍射峰；

6)若样品出现(111)晶面衍射峰，则根据(100)晶面与(111)晶面夹角再次调整三维样品台角度，切割出所需的(100)晶片；

7)若未观察到(111)晶面衍射峰，采用磷化铟单晶(111)晶面位错腐蚀法，调整三维样品台角度，返回步骤4)，最终切割出(100)晶片。

2.根据权利要求1所述的磷化铟晶锭切割(100)晶片的方法，其特征在于，所述磷化铟单晶(111)晶面位错腐蚀法包括以下步骤：

将样品切割面进行研磨并抛光至镜面，去除表面切割损伤；

使用腐蚀液对样品进行腐蚀，腐蚀后样品出现腐蚀坑；

观察腐蚀坑的形状，并与标准(111)晶面位错腐蚀坑比较，根据位错腐蚀坑歪斜的方向和程度，判断晶锭切割面与(111)晶面的夹角。

3.根据权利要求1所述的磷化铟晶锭切割(100)晶片的方法，其特征在于：所述样品解理成10mm×10mm晶片样品。