[发明专利]存储器装置、其外围电路及其单字节数据写入方法有效
| 申请号： | 201710044103.1 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106981307B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 林义琅 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/26;G11C8/10;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 存储器装置、其外围电路及其单字节数据写入方法。外围电路包括一Y解码器、一分页缓冲器及一写入电路。写入电路通过Y解码器耦接一存储器阵列及分页缓冲器，并且接收一字节的一编程数据。写入电路依据编程数据对应的一存储器地址通过Y解码器读取存储器阵列所存储的多字节的一阵列数据，以将所读取的阵列数据通过Y解码器写入至分页缓冲器。接着，编程数据通过写入电路及Y解码器写入至存储器阵列，并且阵列数据由分页缓冲器写入至存储器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 外围 电路 及其 字节 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置的外围电路，其待征在于，包括：Y解码器，耦接该存储器装置的存储器阵列；分页缓冲器，耦接该存储器阵列及该Y解码器；写入电路，通过该Y解码器耦接该存储器阵列及该分页缓冲器，并且接收一字节的编程数据；以及感测放大器，耦接于该Y解码器与该写入电路之间，以通过该Y解码器读取该存储器阵列所存储的多字节的阵列数据后提供至该写入电路；其中，所读取的该阵列数据是依据该编程数据对应的存储器地址，所读取的该阵列数据是通过该Y解码器写入至该分页缓冲器，并且接着该编程数据通过该写入电路及该Y解码器写入至该存储器阵列，并且该阵列数据由该分页缓冲器写入至该存储器阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力旺电子股份有限公司，未经力旺电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710044103.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非易失性存储器装置的操作方法
- 下一篇：一种精准获取LLR信息的应用方法
