[发明专利]一种单模光纤的单模态衰减谱的测试方法有效

专利信息
申请号: 201710043180.5 申请日: 2017-01-19
公开(公告)号: CN106556508B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 孙梦珣;汪伟光;李婧;熊壮;曹蓓蓓 申请(专利权)人: 长飞光纤光缆股份有限公司
主分类号: G01M11/00 分类号: G01M11/00
代理公司: 武汉臻诚专利代理事务所(普通合伙) 42233 代理人: 向彬
地址: 430074 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种单模光纤的单模态衰减谱的测试方法,包括如下步骤:提供一段长度为L1的截止波长较小的单模光纤F1;并将光纤F1打ΦD1cm*X+ΦD2cm*Y的圈,其中D1和D2分别为打圈直径,X和Y分别为打圈个数;将待测单模光纤F3与所述单模光纤F1熔接;在单模光纤F3上截断,采用截断法测试待测大有效面积高截止波长单模光纤F3的衰减谱。通过本发明方法,可以基于常规光纤衰减检测设备以及容易获得的测试资源,对高截止波长单模光纤的高阶模式进行滤除,以获得低于其截止波长的一定波长范围内的单模状态衰减谱,可基于该衰减谱进行多种光纤性能的测试和计算。
搜索关键词: 一种 单模 光纤 衰减 测试 方法
【主权项】:
一种单模光纤的单模态衰减谱的测试方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一段长度为L1的截止波长较小的单模光纤F1;并将光纤F1打ΦD1cm*X+ΦD2cm*Y的圈,其中D1和D2分别为打圈直径,X和Y分别为打圈个数;将待测单模光纤F3与所述单模光纤F1熔接;在单模光纤F3上截断,采用截断法测试待测单模光纤F3的衰减谱。
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