[发明专利]支撑基底以及使用支撑基底制造半导体封装件的方法有效
| 申请号： | 201710041269.8 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN107104070B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 崔允硕;金一浩;金昌镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B32B17/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘美华;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种支撑基底、一种制造半导体封装件的方法、一种半导体封装件，所述支撑基底包括：第一板；位于第一板上的第二板；以及位于第一板与第二板之间的粘结层，其中，粘结层的热膨胀系数(CTE)高于第一板的热膨胀系数并且高于第二板的热膨胀系数。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 基底 以及 使用 制造 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种支撑基底，所述支撑基底包括：第一板；第二板，位于第一板上；以及粘结层，位于第一板与第二板之间，其中，粘结层的热膨胀系数高于第一板的热膨胀系数并且高于第二板的热膨胀系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
