[发明专利]基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽；2）提供键合基底，在键合基底的第一表面形成第三凹槽；3）将半导体基底与键合基底键合；4）在键合基底内形成光纤安装孔；5）在半导体基底的第二表面形成光学增透膜；6）刻蚀半导体基底，以形成贯穿半导体基底的通孔；7）在通孔底部的键合基底的第一表面形成第一电极，在半导体基底的第二表面形成第二电极；8）释放可动质量块结构；9）在中心质量块的下表面形成光学高反膜。通过预设光纤安装孔，在降低驱动电压的同时，极大地增加在静电驱动模式下FP光纤滤波器腔长变化与电源选择之间的灵活性。

主权项

1.一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供半导体基底，所述半导体基底包括相对的第一表面及第二表面，在所述半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽的外侧，并与所述第一凹槽相隔有间距；2)提供键合基底，所述键合基底包括相对的第一表面及第二表面，在所述键合基底的第一表面形成第三凹槽；所述第一凹槽位于所述第三凹槽对应区域内，所述第二凹槽位于所述第三凹槽外侧，且与所述第三凹槽的边缘相隔有间距；3)将所述半导体基底与所述键合基底键合，所述半导体基底的第一表面及所述键合基底的第一表面为键合面，以在所述半导体基底与所述键合基底之间形成由所述第三凹槽构成的空腔结构；4)在所述键合基底内对应于所述第三凹槽的区域形成贯通所述第三凹槽的光纤安装孔，且所述光纤安装孔对应于所述第一凹槽之间的区域；5)在所述半导体基底的第二表面对应于所述光纤安装孔的位置形成光学增透膜；6)依据所述第二凹槽刻蚀所述半导体基底，以形成贯穿所述半导体基底的通孔，所述通孔暴露出所述键合基底的第一表面；7)在所述通孔底部的所述键合基底的第一表面形成第一电极，并在所述半导体基底的第二表面形成第二电极，所述第二电极位于所述通孔与所述第一凹槽之间；8)依据所述第一凹槽刻蚀所述半导体基底，以释放可动质量块结构，所述可动质量块结构包括：中心质量块、位于所述中心质量块上表面的光学增透膜及将所述中心质量块与所述半导体基底相连接的悬臂梁；9)在所述中心质量块的下表面对应于所述光学增透膜的位置形成光学高反膜。