[发明专利]一种基于石墨烯的光偏振转换器有效
申请号: | 201710037533.0 | 申请日: | 2017-01-19 |
公开(公告)号: | CN106547121B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 贺梦冬;彭宇翔;王凯军 | 申请(专利权)人: | 中南林业科技大学 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;G02B5/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410000 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种基于石墨烯的光偏振转换器,包括介质衬底、上电解质层、上金属电极、上石墨烯条带阵列、二氧化硅层、下石墨烯条带阵列、下电解质层、下金属电极;上电解质层和上金属电极并列设置在上石墨烯条带阵列的上方,并且与上石墨烯条带阵列的所有石墨烯条带搭接在一起;上石墨烯条带阵列和下石墨烯条带阵列方向相互垂直,并且中间夹着二氧化硅层;下金属电极和下电解质层并列地设置在下石墨烯条带阵列的下方并且与下石墨烯条带阵列的所有石墨烯条带搭接在一起,下金属电极和下电解质层之间夹有二氧化硅。本发明通过栅极电压调节石墨烯的费米能级来调控透射光的光矢量大小以及相位,实现了对光偏振态的主动控制,而且响应速度快。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 偏振 转换器 | ||
【主权项】:
1.一种基于石墨烯的光偏振转换器,其特征在于:包括介质衬底、上电解质层、上金属电极、上石墨烯条带阵列、二氧化硅层、下石墨烯条带阵列、下电解质层、下金属电极;所述上电解质层和上金属电极并列设置在上石墨烯条带阵列的上方,并且与上石墨烯条带阵列的所有石墨烯条搭接在一起;所述上石墨烯条带阵列和下石墨烯条带阵列方向相互垂直,并且中间夹着二氧化硅层;所述下金属电极和下电解质层并列的设置在下石墨烯条带阵列的下方并且与下石墨烯条带阵列的所有石墨烯条搭接在一起;下金属电极和下电解质层位于介质衬底上;上石墨烯条带阵列上方的上电解质层和上金属电极以及下石墨烯条带阵列下方的下电解质层和下金属电极构成栅极结构,上电解质层和上金属电极之间的栅电压为Vg1,下电解质层和下金属电极之间的栅电压为Vg2。
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