[发明专利]一种高出光率、高可靠性的紫外发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高出光率、高可靠性的紫外半导体发光二极管，包括一LED芯片，所述LED芯片中在p型层上依次设有石墨烯透明导电层、金属导电层和导电反射层，石墨烯透明导电层特征在于其由多次转移的石墨烯堆叠而成，所述石墨烯透明导电层以及金属导电层与p型层之间形成欧姆接触。所述多次转移的石墨烯透明导电层由单层或多层石墨烯多次转移而成，所述金属导电层形成于石墨烯层之上或者于多层石墨烯之间。本发明通过多次转移堆叠石墨烯，降低了面电阻，提高发光效率；本发明的金属导电层形成工艺，在氮气、氧气混合气氛中400℃条件下退火2min使接触电阻率降至4.3*10^‑4Ω·cm^‑2，同时使得Al反射层在450nm时反射率维持在90％。

主权项

1.一种高出光率、高可靠性的紫外发光二极管器件，包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层，在p型层上依次设有p接触层、石墨烯透光层和导电反射层，其特征在于所述p接触层部分覆盖p型层表面，覆盖比小于30％，所述石墨烯透光层由多次转移的石墨烯堆叠而成，所述p接触层与p型层之间、p接触层与石墨烯透光层之间都为欧姆接触；所述石墨烯透光层的至少两层石墨烯之间还包含部分覆盖的插入金属层，该插入金属层覆盖比率低于10％，多层石墨烯之间以及石墨烯与导电反射层之间形成有插入金属层，所述插入金属层为平铺的Ag或Au纳米点或者Ag或Au纳米线，所述插入金属层中所述Ag或Au纳米点的粒径为10nm～1μm，Ag或Au纳米线的直径为5～100nm、长度为5～100μm。