[发明专利]一种CoxPy多孔纳米片及其合成方法和应用

摘要

本发明公开了一种Co_xP_y(0＜x≤2；0＜y＜4)多孔纳米片，还公开了上述Co_xP_y多孔纳米片的合成方法，先通过水热法合成的氢氧化物前驱物，在富氧氛围下退火处理上述前驱物，得到多孔钴的氧化物纳米片；然后在合适的环境和温度下进行磷化处理，即可得到Co_xP_y多孔纳米片。本发明还公开了Co_xP_y多孔纳米片在不同介质环境中电催化析氢和电催化吸氧方面的应用。本发明合成方法采用固液相化学转化方法得到Co_xP_y多孔纳米片，该方法具有工艺简单、条件温和、反应时间短、重现性好、操作安全、产率高的优点，能够适用于大规模生产。

主权项

1.一种Co_xP_y多孔纳米片的合成方法，其特征在于：先通过水热法合成氢氧化钴前驱物；将上述氢氧化钴前驱物在富氧氛围下退火处理，得到钴的氧化物多孔纳米片；最后将钴的氧化物在所需溶剂和所需温度下进行磷化处理，得到Co_xP_y多孔纳米片；上述Co_xP_y多孔纳米片的合成方法，具体包括如下步骤：步骤1，将所需量的钴盐、表面活性剂和尿素，加入到体积比为1∶1的水和伯醇的混合溶剂中，在不断搅拌下，得到混合液A；步骤2，将混合液A于室温下，继续搅拌一段时间，然后转移至反应釜中，于一定温度下反应一段时间，冷却后得到产物I；步骤3，将产物I置于管式炉中，于富氧氛围下进行退火处理，得到产物II；步骤4，将产物II分散在溶剂中，于一定温度下加入含磷化合物进行磷化处理，得到Co_xP_y多孔纳米片；其中，含磷化合物为三辛基膦或三苯基磷，磷化处理的温度为280～380℃，升温速率为5～10℃/min，时间为2～20h；采用上述合成方法制得的Co_xP_y多孔纳米片，其孔隙率为68.29％，每个孔道的孔径为3～4nm，每个Co_xP_y多孔纳米片的厚度为5～10nm，其中，1＜x≤2，0＜y＜4。