[发明专利]调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法有效
| 申请号： | 201710017041.5 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106783966B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 俞金玲;曾晓琳;程树英;陈涌海;赖云锋;郑巧 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L43/12 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;丘鸿超 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法。该方法通过改变样品温度有效调控了GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合，具体：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；其次，调整光路，使1064nm波长的激光入射到GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品上，使激光光斑位于所述样品两个电极中间，并使激光入射角为30°；最后，将所述样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。本发明方法可行性高，调控效果显著，且实施简便。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 gaas algaas 二维 电子 dresselhaus 自旋 轨道 耦合 方法 | ||
【主权项】：
1.调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法，其特征在于：该方法通过改变样品的温度调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合，具体包括如下步骤，S1：用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；S2：调整光路，使1064nm波长的激光入射到GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品上，使激光光斑位于所述样品两个电极中间，且激光入射角为30°；S3：将所述样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。
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