[发明专利]一种提高电阻电容型逐次逼近模数转换器SFDR和SNDR的电容重构方法有效
| 申请号： | 201710013589.2 | 申请日： | 2017-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN106899299B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 樊华;哈迪·哈迪日;佛朗哥·马洛博蒂 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03M1/10 | 分类号： | H03M1/10;H03M1/46 |
| 代理公司： | 51203 电子科技大学专利中心 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高电阻电容型逐次逼近模数转换器SFDR和SNDR的电容重构方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。针对现有技术中电容失配校正技术研究首先考虑的是易于片上实现，基于LMS算法的校正方案精度高且校准效果好，但初始值若选取不当会导致算法复杂度增加，甚至不收敛，不易于片上实现，而传统辅助DAC的校正技术最易于片上实现且成功率最高，但不容易实现超高精度的问题，提出一种能提高逐次逼近模数转换器线性度的电容重构方法，通过对电容排序、选择并重构，从而达到校正电容失配的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电阻 电容 逐次 逼近 转换器 sfdr sndr 容重 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高电阻电容型逐次逼近模数转换器SFDR和SNDR的电容重构方法，该方法包括：/n步骤1：在混合电阻电容型逐次逼近模数转换器的正电容阵列和负电容阵列处各设置128个单位电容，将正电容阵列与负电容阵列相对的单位电容分为一组，获得128组电容；/n步骤2：将第一组电容中的正电容接VREFP，负电容接VREFN，其余组的正电容接VREFN，其余组的负电容接VREFP，进行正常的15位逐次逼近位循环过程，得到对应于第一组电容的数字码；然后将第二组电容中的正电容接VREFP，负电容接VREFN，其余组的正电容接VREFN，其余组的负电容接VREFP，进行正常的15位逐次逼近位循环过程，得到对应于第二组电容的数字码；重复此步骤，直至得到128组电容各自对应的数字码；/n步骤3：根据步骤2获得的128组电容各自对应的数字码，将128组电容按电容大小进行排序，排序后的电容组编号为C
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