[发明专利]一种用于GGNMOS的电路级建模方法及模型电路有效
| 申请号： | 201710011350.1 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106709201B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 贾柱良;何凯;杨君 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/36 | 分类号： | G06F30/36 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于GGNMOS的电路级建模方法及模型电路，所述模型电路包括三极管、第一电阻、第二电阻和二极管，所述第一电阻的一端与电源地连接、另一端连接二极管的正极，所述二极管的负极连接电源，所述三极管的基极与二极管和第一电阻之间的连接节点连接，所述三极管的发射极接电源地、集电极通过第二电阻与电源连接。一种用于GGNMOS的电路级建模方法，对GGNMOS进行建模，运用该模型电路可以在短时间内仿真得到GGNMOS对ESD冲击的箝位能力，结构简单，易于实现，与现有的采用提取参数的方式进行物理建模相比，效率更高，设计成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 ggnmos 电路 建模 方法 模型 | ||
【主权项】：
一种用于GGNMOS的模型电路，其特征在于，其包括三极管、第一电阻、第二电阻和二极管，所述第一电阻的一端与电源地连接、另一端连接二极管的正极，所述二极管的负极连接电源，所述三极管的基极与二极管和第一电阻之间的连接节点连接，所述三极管的发射极接电源地、集电极通过第二电阻与电源连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市国微电子有限公司，未经深圳市国微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710011350.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
