[发明专利]一种用于GGNMOS的电路级建模方法及模型电路

权利要求书

1.一种用于GGNMOS的模型电路，其特征在于，其包括三极管、第一电阻、第二电阻和二极管，所述第一电阻的一端与电源连接、另一端连接二极管的负极，所述二极管的负极连接电源，所述三极管的基极连接于二极管和第一电阻之间的连接节点，所述三极管的发射极接电源地、集电极通过第二电阻与电源连接。

2.一种用于GGNMOS的电路级建模方法，其特征在于，所述方法应用于如权利要求1所述的一种用于GGNMOS的模型电路，所述方法包括步骤：

步骤一：建立GGNMOS等效模型电路，所述GGNMOS等效模型电路包括三极管、第一电阻、第二电阻和二极管，所述第一电阻的一端与电源地连接、另一端连接二极管的正极，所述二极管的负极连接电源，所述三极管的基极与二极管和第一电阻之间的负极连接电源，所述三极管发射极接电源地、集电极通过第二电阻与电源连接；

步骤二：建立人体模型ESD等效电路，所述人体模型ESD等效电路与模型电路并联得到总电路；

步骤三：将步骤二得到的总电路，利用电路模拟软件Spice对总电路进行模拟仿真，在人体模型ESD等效电路端增加电流脉冲，获取GGNMOS等效模型电路输出电压变化曲线，得到GGNMOS等效模型电路对ESD的箝位电压最高值。

3.根据权利要求2所述的一种用于GGNMOS的电路级建模方法，其特征在于，所述人体模型ESD等效电路包括第三电阻、第一电容、第二电容和电感，所述第三电阻并联第二电容连接在电源与电感之间，所述电感通过串联第一电容与电源地连接。

4.根据权利要求2所述的一种用于GGNMOS的电路级建模方法，其特征在于，所述三极管为GGNMOS寄生NPN三极管。

5.根据权利要求2所述的一种用于GGNMOS的电路级建模方法，其特征在于，所述第一电阻为GGNMOS的漏端至沟道路径的等效电阻。

6.根据权利要求2所述的一种用于GGNMOS的电路级建模方法，其特征在于，所述二极管为GGNMOS的漏端与衬底之间的寄生二极管。

7.根据权利要求2所述的一种用于GGNMOS的电路级建模方法，其特征在于，所述第二电阻为GGNMOS衬底寄生电阻。

8.根据权利要求2所述的一种用于GGNMOS的电路级建模方法，其特征在于，所述步骤三的具体步骤为：将步骤二得到的总电路，利用电路模拟软件Spice对总电路进行模拟仿真，在人体模型ESD等效电路中第一电容两端增加至少2000V电流脉冲，获取GGNMOS等效模型电路输出电压变化曲线，得到GGNMOS等效模型电路对ESD的箝位电压最高值。