[发明专利]一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法有效
| 申请号： | 201710010531.2 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106625204B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 孔令沂;孙国胜;卓俊辉;刘丹;韩景瑞;张新河;李锡光;萧黎鑫 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;B24B7/22;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法，其包括以下步骤：步骤1：对SiC晶片正面覆盖蓝膜作为保护层；步骤2：将SiC晶片正面贴入抛光夹具的模板内，该SiC晶片正面覆盖的蓝膜与模板紧密接触，且其之间无气泡；步骤3：将装好SiC晶片的抛光夹具放置于抛光设备上，抛光设备对SiC晶片背面进行研磨抛光处理；步骤4：对SiC晶片进行清洗，封装；其中，于步骤3中，抛光设备采用金刚石研磨液与CMP抛光液调配制成的组合型研磨抛光液，配合合成纤维聚合物抛光垫对SiC晶片背面进行研磨抛光处理。本发明可快速将SiC晶片背面原先可见的背面生长层和污染层进行有效去除，同时还可有效控制并减小SiC晶片的应力和形变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 sic 晶片 背面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法，其特征在于，该背面处理方法包括以下步骤：步骤1：对SiC晶片正面覆盖蓝膜作为保护层；步骤2：将SiC晶片正面贴入抛光夹具的模板内，该SiC晶片正面覆盖的蓝膜与模板紧密接触，且其之间无气泡；步骤3：将装好SiC晶片的抛光夹具放置于抛光设备上，抛光设备对SiC晶片背面进行研磨抛光处理；步骤4：对SiC晶片进行清洗，封装；其中，于步骤3中，抛光设备采用金刚石研磨液与CMP抛光液调配制成的组合型研磨抛光液，配合合成纤维聚合物抛光垫对SiC晶片背面进行研磨抛光处理；步骤3中所述组合型研磨抛光液的PH值为10.2，且组合型研磨抛光液由按照体积比比值为2的金刚石研磨液与CMP抛光液调配制成，其中，金刚石研磨液为中性金刚石研磨液，且该中性金刚石研磨液中金刚石粒径为5μm；合成纤维聚合物抛光垫对SiC晶片背面进行研磨抛光处理的磨抛压力为8kPa或12kPa。
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