[发明专利]一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法

权利要求书

1.一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法，其特征在于，该背面处理方法包括以下步骤：

步骤1：对SiC晶片正面覆盖蓝膜作为保护层；

步骤2：将SiC晶片正面贴入抛光夹具的模板内，该SiC晶片正面覆盖的蓝膜与模板紧密接触，且其之间无气泡；

步骤3：将装好SiC晶片的抛光夹具放置于抛光设备上，抛光设备对SiC晶片背面进行研磨抛光处理；

步骤4：对SiC晶片进行清洗，封装；

其中，于步骤3中，抛光设备采用金刚石研磨液与CMP抛光液调配制成的组合型研磨抛光液，配合合成纤维聚合物抛光垫对SiC晶片背面进行研磨抛光处理；

步骤3中所述组合型研磨抛光液的PH值为10.2，且组合型研磨抛光液由按照体积比比值为2的金刚石研磨液与CMP抛光液调配制成，其中，金刚石研磨液为中性金刚石研磨液，且该中性金刚石研磨液中金刚石粒径为5μm；合成纤维聚合物抛光垫对SiC晶片背面进行研磨抛光处理的磨抛压力为8kPa或12kPa。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法，其特征在于：所述大尺寸SiC晶片为6英寸的外延层制有器件图形的SiC晶片，该SiC晶片的外延层上制有器件图形层以及覆盖于器件图形层上的光刻胶保护层，该光刻胶保护层与所述蓝膜贴合。

3.根据权利要求2所述的一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法，其特征在于：于步骤3中，将合成纤维聚合物抛光垫粘贴固定于抛光设备的主盘上，将装好SiC晶片的抛光夹具放置于合成纤维聚合物抛光垫上，其中，SiC晶片背面与合成纤维聚合物抛光垫接触，并使用摆臂锁定夹具的位置，在主盘公转的同时，于合成纤维聚合物抛光垫表面连续供应组合型研磨抛光液，使用摆臂控制夹具产生自转以及摆动，以对SiC晶片背面均匀研磨抛光，其中，该抛光设备对SiC晶片背面进行研磨抛光处理时，公转主盘的公转速率为50转/分钟，抛光夹具自转速率为10转/分钟，摆臂摆动频率为8次/分钟。

4.根据权利要求3所述的一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法，其特征在于：步骤4中，采用去离子水对外延层制有器件图形的SiC晶片进行清洗。

5.根据权利要求1所述的一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法，其特征在于：所述大尺寸SiC晶片为4英寸的制有外延层的SiC晶片，该SiC晶片上的外延层与所述蓝膜贴合。

6.根据权利要求5所述的一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法，其特征在于：于步骤3中，将合成纤维聚合物抛光垫粘贴固定于抛光设备的主盘上，将装好SiC晶片的抛光夹具放置于合成纤维聚合物抛光垫上，其中，SiC晶片背面与合成纤维聚合物抛光垫接触，并使用摆臂锁定夹具的位置，在主盘公转的同时，于合成纤维聚合物抛光垫表面连续供应组合型研磨抛光液，使用摆臂控制夹具产生自转以及摆动，以对SiC晶片背面均匀研磨抛光，其中，该抛光设备对SiC晶片背面进行研磨抛光处理时，公转主盘的公转速率为50转/分钟，抛光夹具自转速率为10转/分钟，摆臂摆动频率为16次/分钟。

7.根据权利要求6所述的一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法，其特征在于：步骤4中，先采用去离子水对制有外延层的SiC晶片进行清洗，再去掉蓝膜，再通过清洗机按照标准RCA清洗流程对制有外延层的SiC晶片进行双面清洗，然后进行真空包装以封装。