[发明专利]一种用于IGBT控制的有源嵌位保护电路在审

专利信息
申请号: 201710010007.5 申请日: 2017-01-06
公开(公告)号: CN106787635A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 涂光炜 申请(专利权)人: 四川埃姆克伺服科技有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 四川力久律师事务所51221 代理人: 王芸,熊晓果
地址: 610225 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及电机驱动电路,特别涉及一种用于IGBT控制的动态有源嵌位保护电路。本发明提供的用于IGBT控制的有源嵌位保护电路在IGBT受到外电场干扰瞬间飙高时,开启IGBT门极,防止IGBT被击穿,同时,巧妙的通过一延时电路,判断IGBT的是否处于工作状态,在一些实施例中,利用与延时电路连接的MOS管以及与该MOS管并接的第二稳压二极管组设置两个等级的阈值,在IGBT正常工作时,采用第一阈值,而在IGBT不工作时,采用第二阈值,极大的提高了电路的安全性。
搜索关键词: 一种 用于 igbt 控制 有源 保护 电路
【主权项】:
一种用于IGBT控制的有源嵌位保护电路,其特征在于,包括输入端、第一输出端、第二输出端;所述输入端与被控IGBT的集电极连接,第一输出端与被控IGBT的门极连接,第二输出端与被控IGBT关断控制电路的输入端连接;还包括,由至少2个同向串接的稳压二极管组成的第一稳压二极管组,所述第一稳压二极管组与被控IGBT的集电极连接,其中的稳压二极管的负极为输入端,正极为输出端;所述第一稳压二极管的输出端通过串接的第一二极管D1、第一电阻R1与被控IGBT的开关驱动电路输出端连接;所述第一稳压二极管的输出端还通过第二二极管D2、第二电阻R2与第二NMOS管Q2的栅极连接;第二NMOS管Q2的源极接负压电源,漏极通过第三电阻R3与开关驱动电路的输入端连接。
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