[发明专利]一种用于IGBT控制的有源嵌位保护电路在审
申请号: | 201710010007.5 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN106787635A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 涂光炜 | 申请(专利权)人: | 四川埃姆克伺服科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 四川力久律师事务所51221 | 代理人: | 王芸,熊晓果 |
地址: | 610225 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及电机驱动电路,特别涉及一种用于IGBT控制的动态有源嵌位保护电路。本发明提供的用于IGBT控制的有源嵌位保护电路在IGBT受到外电场干扰瞬间飙高时,开启IGBT门极,防止IGBT被击穿,同时,巧妙的通过一延时电路,判断IGBT的是否处于工作状态,在一些实施例中,利用与延时电路连接的MOS管以及与该MOS管并接的第二稳压二极管组设置两个等级的阈值,在IGBT正常工作时,采用第一阈值,而在IGBT不工作时,采用第二阈值,极大的提高了电路的安全性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 igbt 控制 有源 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种用于IGBT控制的有源嵌位保护电路,其特征在于,包括输入端、第一输出端、第二输出端;所述输入端与被控IGBT的集电极连接,第一输出端与被控IGBT的门极连接,第二输出端与被控IGBT关断控制电路的输入端连接;还包括,由至少2个同向串接的稳压二极管组成的第一稳压二极管组,所述第一稳压二极管组与被控IGBT的集电极连接,其中的稳压二极管的负极为输入端,正极为输出端;所述第一稳压二极管的输出端通过串接的第一二极管D1、第一电阻R1与被控IGBT的开关驱动电路输出端连接;所述第一稳压二极管的输出端还通过第二二极管D2、第二电阻R2与第二NMOS管Q2的栅极连接;第二NMOS管Q2的源极接负压电源,漏极通过第三电阻R3与开关驱动电路的输入端连接。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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