[发明专利]一种闪存的擦除方法在审
| 申请号： | 201710007941.1 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106782651A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 任栋梁;钱亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张振军,吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种闪存的擦除方法，包括以下步骤设置擦除电压为第一预设擦除电压，并且采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；在每次完成所述擦除操作后，检验所述存储单元的擦除结果，如果所述擦除结果为擦除失败，则重复采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；如果擦除失败的次数达到第一预设次数，则调节所述擦除电压至第二预设擦除电压，所述第二预设擦除电压高于所述第一预设擦除电压，所述第一预设次数大于等于2；采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除。本发明方案可以在获得相近的擦除操作成功率的基础上，减少擦除操作的耗时。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 擦除 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存的擦除方法，其特征在于，包括以下步骤：设置擦除电压为第一预设擦除电压，并且采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；在每次完成所述擦除操作后，检验所述存储单元的擦除结果，如果所述擦除结果为擦除失败，则重复采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；如果擦除失败的次数达到第一预设次数，则调节所述擦除电压至第二预设擦除电压，所述第二预设擦除电压高于所述第一预设擦除电压，所述第一预设次数大于等于2；采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除。
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