[发明专利]一种闪存的擦除方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种闪存的擦除方法。

背景技术

在多种非易失性存储器中，快闪存储器(Flash Memory)，也被称为闪存，由于其具有高速、高密度、断电后仍然能够保持数据等特点，在各种电子设备中获得了广泛使用。

在闪存的使用中，经常需要对存储单元上的信息进行擦除，所述擦除操作为在控制栅极施加擦除电压以从浮栅移除电子。

在现有技术中，为了保证擦除操作的成功率，通常采用逐次增大的擦除电压进行重复擦除。具体而言，每次擦除操作完成之后，将检验擦除状态以确认是否擦除成功，如果擦除不成功，则调节施加到控制栅极上的擦除电压，采用逐次增大的擦除电压进行重复擦除操作，直至擦除成功。

但是，与擦除操作的步骤和检验擦除状态的步骤消耗的时间相比，调节擦除电压的步骤耗时非常长(相差2至3个数量级)，采用逐次增大的擦除电压会延长擦除操作的耗时。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种闪存的擦除方法，可以在获得相近的擦除操作成功率的基础上，减少擦除操作的耗时。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种闪存的擦除方法，包括以下步骤：设置擦除电压为第一预设擦除电压，并且采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；在每次完成所述擦除操作后，检验所述存储单元的擦除结果，如果所述擦除结果为擦除失败，则重复采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；如果擦除失败的次数达到第一预设次数，则调节所述擦除电压至第二预设擦除电压，所述第二预设擦除电压高于所述第一预设擦除电压，所述第一预设次数大于等于2；采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除。

可选的，所述设置擦除电压为第一预设擦除电压，并且采用所述第一预设擦除电压对存储单元进行擦除操作包括：采用所述存储单元的内置修调电路将所述擦除电压调节为所述第一预设擦除电压，并且向所述存储单元的控制栅极施加所述第一预设擦除电压以完成擦除操作。

可选的，所述检验所述存储单元的擦除状态包括：向所述存储单元的漏极施加读取电压，并测量所述存储单元从源极至漏极的电流值；如果所述电流值大于预设电流阈值，则所述存储单元的擦除状态为擦除成功；如果所述电流值小于预设电流阈值，则所述存储单元的擦除状态为擦除失败。

可选的，调节所述擦除电压至第二预设擦除电压包括：采用所述存储单元的内置修调电路将所述擦除电压调节至第二预设擦除电压。

可选的，采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除包括：采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除时，擦除时长等于标准擦除时长，所述标准擦除时长为采用所述第一预设擦除电压进行擦除操作时的擦除时长。

可选的，采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除包括：采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除时，擦除时长大于标准擦除时长，所述标准擦除时长为采用所述第一预设擦除电压进行擦除操作时的擦除时长。

可选的，所述闪存的擦除方法还包括：在每次高压擦除操作完成后，检验所述存储单元的高压擦除状态；如果高压擦除失败的次数达到第二预设次数，则停止擦除。

可选的，后一次的高压擦除的擦除时长大于等于前一次高压擦除的擦除时长。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

本发明实施例提供一种闪存的擦除方法，包括以下步骤：设置擦除电压为第一预设擦除电压，并且采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；在每次完成所述擦除操作后，检验所述存储单元的擦除结果，如果所述擦除结果为擦除失败，则重复采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；如果擦除失败的次数达到第一预设次数，则调节所述擦除电压至第二预设擦除电压，所述第二预设擦除电压高于所述第一预设擦除电压，所述第一预设次数大于等于2；采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除。在本发明实施例中，采用相同的擦除电压对闪存的存储单元进行擦除操作，在擦除失败多次时，才对擦除电压进行调节，与现有技术相比，可以减少调节擦除电压的次数，从而减少擦除操作的耗时，并且通过高压擦除获得与逐次增大擦除电压的方法相近的擦除成功率。