[发明专利]等离子体射流装置在审
| 申请号： | 201710004355.1 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106856644A | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 占建英;周如;张俊;张慧文;元淼 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 汪源,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体射流装置，包括外壳，所述外壳上设置有第一入口和第一出口，所述外壳内分布设置有多个放电单元；所述第一入口用于向所述放电单元提供反应气体；所述放电单元用于对所述反应气体进行放电处理，以形成等离子体射流；所述第一出口用于输出所述等离子体射流。本发明提供的等离子体射流装置形成的等离子体通过气流作用形成大面积均匀稳定的等离子体射流，这些阵列式的等离子体射流直接作用于基板，对薄膜晶体管进行刻蚀处理，最终实现放电区域与工作区域分离的薄膜晶体管等离子体刻蚀工艺。本发明提供的技术方案具有等离子体粒子活性高、处理速度快，可实现多角度、大面积均匀稳定的低温薄膜晶体管表面刻蚀等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 射流 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体射流装置，其特征在于，包括外壳，所述外壳上设置有第一入口和第一出口，所述外壳内分布设置有多个放电单元；所述第一入口用于向所述放电单元提供反应气体；所述放电单元用于对所述反应气体进行放电处理，以形成等离子体射流；所述第一出口用于输出所述等离子体射流。
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