[发明专利]等离子体射流装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种等离子体射流装置。

背景技术

现有的等离子体装置通过真空泵将工艺腔室抽至高真空状态，然后打开刻蚀气体的流量阀，将反应气体充入工艺腔室，最后接通射频电源，刻蚀气体通过辉光放电产生等离子体，上述等离子体含有电子、离子、活性反应基团等刻蚀反应需要的刻蚀物质。然而，现有的等离子体装置产生的等离子体不均匀，导致基板表面的干刻不均匀。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种等离子体射流装置，至少部分解决现有的等离子体装置产生的等离子体不均匀，导致基板表面的干刻不均匀的问题。

为此，本发明提供一种等离子体射流装置，包括外壳，所述外壳上设置有第一入口和第一出口，所述外壳内分布设置有多个放电单元；

所述第一入口用于向所述放电单元提供反应气体；

所述放电单元用于对所述反应气体进行放电处理，以形成等离子体射流；

所述第一出口用于输出所述等离子体射流。

可选的，多个所述放电单元按照一维阵列方式排布。

可选的，多个所述放电单元按照二维阵列方式排布。

可选的，所述放电单元包括第一电极、介质阻挡层以及第二电极，所述介质阻挡层设置在所述第一电极与所述第二电极之间。

可选的，所述介质阻挡层为管状绝缘体，所述第一电极为柱状导体，所述第二电极为环状导体，所述柱状导体设置在所述管状绝缘体的内部，所述环状导体套设在所述管状绝缘体的外部。

可选的，所述管状绝缘体的上端为第二入口，所述管状绝缘体的下端为第二出口，所述第二出口与所述第一出口对应设置。

可选的，所述管状绝缘体为玻璃管或者陶瓷管。

可选的，所述第一电极与电源连接，所述第二电极接地。

可选的，所述第一电极与电容器的第一极连接，所述第二电极与电阻器的第一极连接，所述电容器的第二极和所述电阻器的第二极分别与电源连接。

可选的，所述电阻器为可变电阻器。

本发明具有下述有益效果：

本发明提供的等离子体射流装置包括外壳，所述外壳上设置有第一入口和第一出口，所述外壳内分布设置有多个放电单元；所述第一入口用于向所述放电单元提供反应气体；所述放电单元用于对所述反应气体进行放电处理，以形成等离子体射流；所述第一出口用于输出所述等离子体射流。本发明提供的等离子体射流装置形成的等离子体通过气流作用形成大面积均匀稳定的等离子体射流，这些阵列式的等离子体射流直接作用于基板，对薄膜晶体管进行刻蚀处理，最终实现放电区域与工作区域分离的薄膜晶体管等离子体刻蚀工艺。本发明提供的技术方案具有等离子体粒子活性高、处理速度快，可实现多角度、大面积均匀稳定的低温薄膜晶体管表面刻蚀等优点。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种等离子体射流装置的结构示意图；

图2为图1所示放电单元的结构示意图；

图3为本发明实施例二提供的一种等离子体射流装置的结构示意图；

图4为图3所示放电单元的分布图；

图5为本发明实施例三提供的一种等离子体射流装置的结构示意图；

图6为图5所示放电单元的分布图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的等离子体射流装置进行详细描述。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的一种等离子体射流装置的结构示意图。如图1所示，所述等离子体射流装置包括外壳100，所述外壳100包围形成放电空间。所述外壳100上设置有第一入口101和第一出口102，所述外壳100内分布设置有多个放电单元200。所述第一入口101用于向所述放电单元200提供反应气体，所述放电单元200用于对所述反应气体进行放电处理，以形成等离子体射流103，所述第一出口102用于输出所述等离子体射流103。本实施例提供的等离子体射流装置形成的等离子体通过气流作用形成大面积均匀稳定的等离子体射流103，这些阵列式的等离子体射流103直接作用于基板300，对薄膜晶体管进行刻蚀处理，最终实现放电区域与工作区域分离的薄膜晶体管等离子体刻蚀工艺。本实施例提供的技术方案具有等离子体粒子活性高、处理速度快，可实现多角度、大面积均匀稳定的低温薄膜晶体管表面刻蚀等优点。