[发明专利]MOS器件的栅氧化层结构及工艺方法在审
| 申请号： | 201710004112.8 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106876465A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 袁苑;陈瑜;任玉萍 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件的栅氧化层结构，所述MOS器件位于衬底中，由STI或者场氧隔离，衬底中包含有LDD区，所述源区及漏区位于LDD中，LDD区之间为MOS器件的沟道；沟道上的衬底表面为栅氧化层及多晶硅栅极，多晶硅栅极之上覆盖氮化硅硬掩膜，多晶硅栅极两侧为栅极侧墙；所述源区及漏区通过接触孔引出；所述栅氧化层在沟道方向上是两端厚、中间薄的形态，即靠近栅极侧墙的栅氧化层厚度大于沟道中间区域的栅氧化层的厚度。本发明既可以保持器件的电流驱动能力不变，同时又可以提高源漏间的耐压。本发明还公开了所述的MOS器件的栅氧化层结构的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 氧化 结构 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件的栅氧化层结构，所述MOS器件位于衬底中，由STI或者场氧隔离，衬底中包含有LDD区，所述源区及漏区位于LDD中，LDD区之间为MOS器件的沟道；沟道上的衬底表面为栅氧化层及多晶硅栅极，多晶硅栅极之上覆盖氮化硅硬掩膜，多晶硅栅极两侧为栅极侧墙；所述源区及漏区通过接触孔引出；其特征在于：所述栅氧化层在沟道方向上是两端厚、中间薄的形态，即靠近栅极侧墙的栅氧化层厚度大于沟道中间区域的栅氧化层的厚度。
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