[发明专利]平面栅沟槽型超级结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种平面栅沟槽型超级结器件，包括：沟槽型超级结；形成于有源区外的沟槽型超级结的顶部场氧化层；形成于有源区中的沟槽型超级结的各N型薄层表面的多晶硅栅；各多晶硅栅还延伸到对应的场氧化层的表面并组成多晶硅延伸段；各多晶硅延伸段分别通过接触孔连接到同一个金属总线，由金属总线引出栅极衬垫；各多晶硅延伸段的宽度小于等于对应的N型薄层的宽度，使各多晶硅延伸段和各P型薄层的孔洞缺陷在位置上错开。本发明还公开了一种平面栅沟槽型超级结器件的制造方法。本发明防止各多晶硅延伸段跨越P型薄层时各孔洞缺陷中出现多晶硅残留而引起的栅源短路问题以及各孔洞缺陷本身带来的可靠性降低问题。

主权项

1.一种平面栅沟槽型超级结器件，其特征在于，包括：沟槽型超级结，由交替排列的P型薄层和N型薄层组成，所述P型薄层由填充于沟槽中的P型外延层组成，所述N型薄层由各所述P型薄层之间的N型外延层组成；场氧化层，形成于有源区外的所述沟槽型超级结的顶部，由所述场氧化层围绕出所述有源区；P型体区，形成于所述有源区中的所述沟槽型超级结的各所述P型薄层的顶部并延伸到相邻的所述N型薄层中；多晶硅栅，形成于所述有源区中的所述沟槽型超级结的各所述N型薄层的表面，各所述多晶硅栅和底部的所述沟槽型超级结之间形成有栅介质层；所述多晶硅栅的两侧覆盖对应的所述P型体区，源区形成于各所述P型体区表面且和对应的所述多晶硅栅的侧面自对准，被所述多晶硅栅覆盖的所述P型体区表面用于形成沟道；各所述多晶硅栅还延伸到对应的所述场氧化层的表面并组成各所述多晶硅栅的多晶硅延伸段，各所述多晶硅延伸段通过所述场氧化层和底部的所述N型薄层隔离；各所述多晶硅延伸段分别通过接触孔连接到同一个金属总线，由所述金属总线引出栅极衬垫；各所述P型薄层中随机存在P型外延层填充所述沟槽时形成的孔洞缺陷，各所述多晶硅延伸段的宽度小于等于对应的所述N型薄层的宽度，使各所述多晶硅延伸段和各所述P型薄层的孔洞缺陷在位置上错开，防止各所述多晶硅延伸段跨越所述P型薄层时各所述孔洞缺陷中出现多晶硅残留而引起的栅源短路问题以及各所述孔洞缺陷本身带来的可靠性降低问题。