[发明专利]一种单体共聚促进iP-1-B直接从熔体形成I′晶的方法

摘要

本发明公开一种单体共聚促进iP‑1‑B直接从熔体形成I′晶的方法，以丙烯和1‑丁烯共聚物进行加热保温和降温，同时使用广角X射线散射原位观察其熔融结晶行为，发现共聚物和均聚iP‑1‑B只形成II晶不同，在主要形成II晶的同时可有少量I′晶生成，随后在升温到125℃再降温至30℃的多次循环加热冷却过程中，丙烯单体共聚的iP‑1‑B明显可比均聚iP‑1‑B有更多晶型I′生成，且随着30℃‑125℃循环加热冷却次数增加，生成的I′晶比例显著增加，此方法过程简单，易于操作。

主权项

1.一种单体共聚促进iP‑1‑B直接从熔体形成I′晶的方法，其特征在于，采用丙烯单体和1‑丁烯进行共聚形成单体共聚的iP‑1‑B，丙烯投料百分比3‑5％(丙烯投料质量/丙烯和1‑丁烯的投料质量之和)，按照下述步骤进行：步骤1，将转变为I晶的单体共聚的iP‑1‑B升温至200—220摄氏度并保温，以使单体共聚的iP‑1‑B中丙烯晶型和iP‑1‑B晶型熔融，再以10—15℃/min降温到室温得到II晶和少量I'晶；步骤2，将步骤1得到的含有II晶和少量I'晶的单体共聚的iP‑1‑B升温至II晶的熔融温度并保温，降温至室温，完成一个加热保温降温的过程，反复升降温操作即可提升单体共聚的iP‑1‑B中晶型I′的比例，加热保温降温的过程包括：自室温20—30摄氏度以20—30℃/min升温至124±1摄氏度并恒温保温2—10min，以使II晶全部熔融，再10—15℃/min降温室温20—30摄氏度，保温时间为2—10min。